型号:

ZVN2106GTA

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
ZVN2106GTA PDF
其它图纸 SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装 1,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 710mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 75pF @ 18V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 ZVN2106GTR
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